近日，台积电发布了其2025年的年度财报。2025年对台积电而言又是坚忍的一年，以好意思元计价的营收同比增长35.9%，营收和每股盈余（EPS）双双创下历史新高。在大门户字化转型与AI波浪的交汇下，台积电凭借其不凡的本事实力，再次交出了一份令行业持重的答卷。

营收情况：营收与盈利双革命高

AI成为最中枢的增长干线。台积电示意，2025年AI商场的发展继续保执相配积极的态势。Token生成量的爆发式增长，标明消耗者对AI模子的遴荐率日益提高。企业级AI也成为新的需求来源。此外，主权AI的崛起也在执续强化对土产货化、区域化算力基础时事的需求。在坚忍需求带动下，台积电2025年的财务进展相配凸起。

2025年，以好意思元计价，台积电完结营收1,224.2亿好意思元，净利润为552.1亿好意思元，分别较2024年（净利润365.2亿好意思元，团结营收900.8亿好意思元）增长35.9%和51.2%。毛利率为59.9%，而2024年为56.1%；营业利润率为50.8%，而前一年为45.7%。净利润率为45.1%，较2024年的40.5%增多了4.6个百分点。

台积电2025年晶圆总出货量为1500万片12英寸等效晶圆，而2024年为1,290万片12英寸等效晶圆。2025年≤7nm的先进本事占晶圆总收入的74%，高于2024年的69%。2026 年预计这一占比在70-80%之间。>7nm 本事占比预计在 20-30% 之间。2026年预计晶圆总出货量为 16-17 百万片 12 英寸等效晶圆。截止到2025年，台积电部署了305种不同的工艺本事，并为534位客户坐褥了12,682款产物。

2025年，公司占“晶圆代工2.0”产业的40%，较2024年的34%有所增长。按地舆区域区别的净营收为：75%来自北好意思；9%来自除中国台湾和日本除外的亚太地区；9%来自中国大陆；4%来自日本；3%来自欧洲、中东及非洲。按平台区别的净营收为：58%来放肆性能研讨（HPC）；29%来自智高手机；5%来自物联网（IoT）；5%来自汽车。此外，1%来自数字消耗电子（DCE），其余2%则来自其他细分边界。

在专利苦求方面，放置 2025 年底，台积电在人人范围内累计苦求专利迥殊 114,000 件，其中 2025 年当年苦求迥殊 9,600 件。台积电在人人好意思国专利苦求东谈主中名步骤 2，在台湾地区专利苦求东谈主中名步骤 1。在专利获准方面，放置 2025 年底，台积电在人人累计获取近 79,000 件专利，其中获取迥殊 7,700 件人人专利。台积电在好意思国专利权东谈主中名步骤 2，在台湾地区专利权东谈主中名步骤 1。在专利质料方面，台积电好意思国专利苦求的获准率接近 100%。

从22nm到A14，

台积电逻辑制程一览

在半导体边界，台积电通过严实的工艺路子图，为人人客户提供了从纯熟制程到改日顶端本事的全所在支执。

台积电正过去瞻性本事禁绝传统物理极限，开启埃米（Angstrom）量级的新纪元。动作下一代巅峰之作，A14 遴荐台积电第二代纳米片（Nanosheet）晶体管结构。它通过先进的尺寸缩放，完结了全节点的 PPA逾越，旨在处罚高性能研讨与 AI 对动力遵守的结构性需求，接洽于 2028 年量产。

2纳米（N2）本事已在2025年第四季度顺利进入多数目坐褥，良率邃密，台积电预计在2026年将完结快速爬坡。此外，台积电还推出了N2P和A16动作N2系列的蔓延：A16遴荐了同类产物的超等电源轨（Super Power Rail, SPR），最符合具有复杂信号路由和密集供电网罗的特定HPC产物；N2P在N2的基础上具有进一步的性能和功耗上风。N2P和A16的量产均接洽在2026年下半年进行。

在3纳米本事方面，2025 年是 3纳米本事量产的第四年，其营收占比已达总收入的24%。其中 N3E与N3P分别进入量产的第三年和第二年，执续领跑搬动通讯商场；N3C 侧重于本钱效益与 IP 复用，预计 2026 年量产；N3X 则专为高性能研讨（HPC）定制，已于 2025 年开启量产。

凭借不凡的纯熟度与性能均衡，5 纳米系列仍是商场的主力军。N4/N4P/N4C是5纳米本事的增强蔓延。N4已进入量产第四年；高性能版 N4P 进入第三年；而更紧凑的 N4C已在2025年获取客户产物定案；N4X是台积电首个专注于 HPC 的顶点性能平台，2025 年已进入量产第二年，代表了5纳米家眷的最高时钟频率。N5P主要针对智高手机与HPC应用，现在已得当运行五年。

台积电的纯熟工艺在特殊应用边界（物联网、车载、可一稔）依然欣忭宏大生命力。N6 已迈入量产第六年，凡俗粉饰 DCE 与智高手机。N6e（超低功耗版）专为可一稔开导遐想，提供全面的低电压生态系统。

7纳米FinFET（N7）系列本事多年来凡俗用于客户的5G和HPC产物，并于2025年进入为DCE和汽车产物量产的第五年。

N12e在2025年继续受到多种产物应用的迎接，包括微抑制器（MCU）、应用处理器（AP）、存储抑制器、物联网纠合以及愿景/语音AI产物。该本事劳动提供更多低Vdd和超低走电（ULL）器件决策，用于速率和功耗优化。

22纳米超低走电（ULL）本事于2025年进入量产的第七年，已被凡俗应用于多种边界，包括用于物联网的蓝牙和Wi-Fi等无线纠合产物、MCU、数字电视芯片和智高手机。

特殊工艺：汽车、射频、存储、

CIS与硅光子同步鼓吹

除了先进逻辑，台积电在特殊本事方面也保管密集鼓吹。这些本事粉饰汽车、射频、电源、裸露、图像传感器、新兴存储器和硅光子等多个所在，是台积电劳动更凡俗客户和应用场景的报复基础。

在汽车工艺方面，N3A基于N3E，是台积电迄今起原进的汽车级工艺。台积电于 2023 年推出了 N3 Auto Early (N3AE) 接洽，提供汽车级 PDK（工艺遐想用具包），以支执汽车客户欺骗起原进的 3 纳米本事进行汽车应用遐想。N3A V1.0 版块 PDK 已于 2025 年发布，该本事完成了汽车级考据，并提供了汽车遐想启用平台 (ADEP)。

N4 Auto Early 接洽 (N4AE)基于 N4P 平台，2025 年处于汽车级本事开发阶段，研讨是在 2026 年底前完周密面的汽车工艺考据。

5 纳米 FinFET 汽车 (N5A) 本事，自 2023 年以来已收到多个客户产物定案。部分产物已完成原型制造，通过了汽车应用考据，并于 2025 年欺骗台积电的汽车劳动包 (ASP) 顺利进入多数目坐褥。

在射频本事方面，N4C RF动作下一代N4P RF本事正在开发中，预计2026年推出。第二代N6 RF+本事开发已完成，其V1.1版块PDK于2025年发布。12FFC+ RF本事在2025年提供了先进射频fT/fMAX拐点模子、超厚金属以及极窄宽度高电阻产物，并进入为客户4G、5G蜂窝射频和物联网无线纠合产物量产的第三年。16FFC RF增强型III本事正在开发中，预计2026年推出，其前代本事已支执28/39/47GHz毫米波射频前端模块和77GHz/79GHz汽车雷达等应用。

在新兴存储器方面，16MRAM动作台积电第二代MRAM本事，于2025年通过汽车级考据，在100万次轮回后完结小于1ppm的芯片失效数。N12e RRAM动作台积电第三代RRAM处罚决策，于2025年通过消耗级坐褥考据。22RRAM本事也于2025年通过10万次轮回考据，适用于高历久性产物应用。

在高压、电源和裸露关系工艺方面，28纳米高压本事于2025年进入为智高手机OLED裸露应用量产第二年。12英寸晶圆上的40纳米SOI本事于2025年进入多数目坐褥第四年。80纳米HV本事用于AR/VR开导中的硅基micro-OLED裸露背板，于2025年进入多数目坐褥第五年，其像素密度迥殊3000 PPI。先进第二代40纳米BCD本事PDK已于2025年准备就绪。90纳米BCD本事收到多个定案，并于2025年进入多数目坐褥第二年，面向充电器、音频放大器等高数字实质产物，同期劳动器应用的新执续矫正接洽正在进行中，PDK接洽于2026年准备就绪。0.13微米BCD本事继续针对DCE和汽车商场优化。0.18微米第二代BCD本事已扩展至100V，以支执AI劳动器和电动汽车的48V电源系统。

在CMOS图像传感器 (CIS) 本事方面，为客户的 CIS 产物完结了新功能。在 2025 年，台积电匡助客户扩大了针对智高手机和汽车商场的先进高动态范围 (HDR) 产物的产量。

台积电 2025 年在该边界取得了多项关节竖立。在搬动应用方面，公司开发了 3D-MiM（第一代）镶嵌式横向溢流整合电容（LOFIC）像素，该像素已在高端智高手机中应用，进展搬动态范围从 90dB 到 110dB 的权贵擢升。此外，新开发的第三代 3D-MiM 存储电容（较第一代提供 12 倍电容增益）通过了工艺考据，接洽于 2026 年进行量产。在先进小像素开发方面，台积电在 2025 年 IEDM 上顺利展示并推出了人人最小的 0.43μm 间距四光电二极管 CMOS 图像传感器，该传感器遴荐了 3 片晶圆堆叠和双后头深沟槽终止（dual-BDTI）本事。与此同期，公司为先进像素开发了另一种低本钱工艺决策，在传统的 2 片晶圆堆叠像素（0.6μm 间距）中使用双 BDTI，完结了 10Ke- 的满阱容量（FWC），同期在 60°C 下保执了 1e-/s 的极低暗电流。在光电探伤器方面，台积电正在开发一种新式雪崩光电二极管（APD），其像素间距为 7μm，用于 AI 应用中的光学 I/O。该 APD 已骄气行业要求，完结了 >2GHz 运行频率且功耗极低。此外，公司在锗/硅（Ge/Si）异构 SPAD（单光子雪崩二极管）方面取得紧要进展，包括暗计数率（DCR）镌汰约十倍，并提高了性能均匀性。这一竖立也在 2025 年 IEDM 上发表。

在硅光子方面，台积电继续开发革命的3D光子堆叠本事COUPE，即紧凑型通用光子引擎。该本事不错将硅光子芯片和电控芯片集成到单芯片光子引擎中，并与HPC芯片共同封装，提供低功耗、高速率的数据传输。2025年，台积电与多家客户共同完结了每秒200Gb的传输速率。公司还继续竭力于共同封装光学处罚决策，以镌汰数据中心数据传输功耗，研讨是在2026年完结量产。

先进封装：CoWoS、SoIC与

3DFabric成为AI时间关节救助

在AI芯片系统复杂度执续擢升的配景下，先进封装的报复性照旧不亚于先进制程自身。台积电的3DFabric是其欺骗晶圆工艺完结细间距、芯片对芯片纠合的本事体系，由晶圆级前端和后端本事构成。

在前端方面，TSMC-SoIC晶圆级芯片堆叠本事为3D硅片堆叠提供率先智力。其中，3纳米SoIC堆叠本事已于2025年顺利进入多数目坐褥。

在后端方面，台积电领有CoWoS先进封装劳动和TSMC-SoW系统级晶圆本事劳动。

动作率先的2.5D本事，由于自2023年以来激增的AI需求，CoWoS先进封装劳动阅历了坚忍增长。3.5倍光罩尺寸的CoWoS-L自2024年起已参预坐褥，而5.5倍光罩尺寸的CoWoS-L将于2026年完成考据，以骄气封装内更高性能的研讨。进一步开发的9.5倍光罩尺寸CoWoS-L也取得了邃密进展。

与此同期，用于超高端网罗交换机的CoWoS共同封装光学（CPO）正在开发中，研讨是将基于中介层的CoW模块和基于COUPE的光学IO整合到单一封装中，以完结更高数据带宽并镌汰系统功耗。

CoWoS-R先进封装劳动具有多个重布线层，以简化产物遐想并支执更大尺寸HPC产物，该本事于2025年进入量产第三年。TSMC-SoW处罚决策则面向下一代数据中心研讨芯片完结晶圆级异构整合，具备更佳能效、更高带宽和更大芯片密度。第一代仅逻辑本事于2025年进入量产第二年，第二代本事可完结逻辑与HBM整合，现在正处于开发阶段。

此外，InFO-PoP本事通过SoC与DRAM整合完结先进智高手机应用，具有后头RDL的产物于2025年进入多数目坐褥。TSMC-COUPE本事劳动欺骗TSMC-SoIC CoW堆叠处罚决策整合硅光子和电控芯片，用于高速、低功耗数据传输产物，现在开发程度肤浅，预计2026年量产。用于倒装芯片封装的2纳米硅片细间距铜凸块本事，也已于2025年顺利进入多数目坐褥。

光刻、掩模：为A16、A14和

更先进节点铺路

2025年，台积电继续竭力于光刻本事的开发。重心包括支执2纳米本事的风险坐褥和多数目坐褥，并确保巩固的工艺鼓吹。与此同期，公司启动了台积电A16工艺本事的开发和风险坐褥准备，并继续开发A14及更先进的本事。光刻研发团队在擢升工艺良率和性能、执续提高极紫外光（EUV）扫描仪的应用遵守、减少访佛时弊、减轻材料弱势以及开发和应用新式掩模薄膜（pellicles）和基板（blanks）方面取得了进展。此外，公司初始为高数值孔径（High-NA）EUV扫描仪开发光刻本事，以支执台积电在关节先进工艺本事上的执续演进。

2025年，台积电研发团队鼓吹了用于A14节点及更先进节点的极紫外光（EUV）掩摹本事。这是通过优化EUV基板材料、增强多光束写入器分辨率以及完善掩模处理条目完结的，从而提高了弧线图形的关节尺寸均匀性、图形保真度和访佛精度。同期，通过执续开发先进的电子束查验和确立本事，减少了掩模弱势，进一步提高了晶圆良率和坐褥力。改日的矫正将相聚在新式基板材料和制造本事的开发上。

人人产能布局情况

2025年，由台积电过头子公司护士的制造时事年产能迥殊了1,700万片12英寸等效晶圆。这些时事包括四座12英寸晶圆超大晶圆厂（GIGAFAB）、四座8英寸晶圆厂和一座6英寸晶圆厂——均位于台湾；此外还包括两座位于两家全资子公司的12英寸晶圆厂——台积电南京有限公司和台积电亚利桑那公司；一座位于台积电执股多数的制造子公司——日本先进半导体制造公司（JASM）的12英寸晶圆厂；以及两座位于两家全资子公司的8英寸晶圆厂——台积电华盛顿公司（TSMC Washington）和台积电中国有限公司。

2024 年台积电的年产能为 16-17 百万片，年增长率为 6%。2025 年年产能增长至 17-18 百万片，年增长率为 3%。2026 年预计年产能保管在 17-18 百万片。

台积电好意思国亚利桑那州的第一座晶圆厂已于2024年第四季度顺利进入多数目坐褥，良率邃密。第二座时事的建设照旧完成，现在正在安设时事系统，以坐褥3纳米及更先进本事，预计在2027年下半年进入多数目坐褥。2025年，台积电亚利桑那州初始了第三座时事的建设。相似在2025年，台积电告示了扩大其在好意思国先进半导体制造投资的意向，包括接洽增设三座制造厂、两座先进封装时事和一个主要的研发团队中心。

在日本，台积电位于熊本的第一座特殊本事晶圆厂于2024年底初始量产，良率相配好。并于2025年正在熊本建设的第二座晶圆厂中使用3纳米工艺本事进行坐褥。通过这两座晶圆厂，JASM的熊本厂区接洽为汽车、工业、消耗电子和HPC关系应用提供40、22/28、12/16、6/7和3纳米工艺本事。

在台湾，正在新竹和高雄科学园区筹备多期2纳米晶圆厂。改日几年，将继续在台湾多个地点投资率先工艺和先进封装时事，并强调施工现场安全。

前沿预计：低维晶体管、

新式MRAM、热护士与存内研讨

在更恒久的本事探索上，台积电企业预计在低维晶体管探索边界保执率先。通过革命器件和材料，公司试图为顶点缩小的逻辑晶体管完结更高性能和更低功耗。

台积电改日的主要研发样式

在2025年VLSI本事与电路研讨会（Symp. VLSI）上，台积电展示了一种碳纳米管（CNT）纳米片（NS）PFET，在-0.5V VDS下进展出创记载的性能（IMAX = 0.9 mA/μm）和极低的走电（IMIN为20 pA/μm）。此外，在2025年IEEE海外电子器件会议（IEDM）上，台积电展示了2D过渡金属二硫化物（TMD）沟谈晶体管的紧要进展。该预计相聚在三个关节边界：增强纳米片沟谈机械强度的工艺集成、欺骗原子层千里积（ALD）外延搏斗金属和磷掺杂的革命搏斗工程，以及优化的电介质材料。这些共同发愤使载流子迁徙率擢升了1.6倍。

跟着3D集成CMOS本事带来更高功率密度和更严峻散热问题，芯片内热耗散也成为关节课题。在 2025 年 IEDM 上，台积电展示了氮化铝（AlN）薄膜动作一种极具长进且可扩展的 3D IC 热护士材料。厚度小于 500 nm 的多晶 AlN 薄膜完结了极高的垂直平面和面内热导率，分别达到100 Wm-1K-1和30 Wm-1K-1。

台积电也在执续鼓吹面向AI和HPC的新兴存储与存内研讨本事，重心包括RRAM、MRAM、晶圆堆叠以及CIM存内研讨。

其中，RRAM主要面向价钱敏锐的物联网商场，动作低本钱镶嵌式非易失性存储器决策。现在，台积电40nm、28nm和22nm RRAM节点已进入量产，12nm消耗级RRAM完成本事考据，12nm汽车级考据正在进行中，6nm节点也已进入开发阶段。

MRAM则面向更高规格应用，具备高速读写、迥殊100万次读写轮回、支执焊料回流焊以及高温数据留存智力。2025年，台积电完成16nm汽车级MRAM考据，并推出该产物；同期，公司也在开发12nm汽车级MRAM和5nm高速MRAM，以支执汽车电子、消耗电子、数据中心、通讯开导、工业应用和角落AI等场景。

在更前沿的预计上，台积电于2025年IEDM展示了新式C型SOT-MRAM。该本事遴荐具有内置磁各向异性的圆形磁性纯正结，可在无场环境下运行，并兼具数据留存智力和性能上风。比较既有决策，C型器件完结了48%的单元尺寸缩减和25%的切换电流镌汰，为高性能、低本钱非易失性存储器提供了新的本事旅途。

与此同期，台积电也在探索存内研讨架构。2025年3月，台积电在《Nature》著述中展示了一种夹杂精度、异构RRAM与SRAM的CIM AI角落处理器。该效果分解，在精度亏损极小的情况下，存内研讨不错完结率先的研讨能效。此外，在2025年ISSCC上，台积电还展示了一个16nm微缩化多风物增益单元CIM宏，这是同类产物中首个同期支执微缩化、整数和浮点时事的遐想，并完结了最高的MX-MAC能效。

此外，台积电还在鼓吹晶圆堆叠本事，为逻辑晶圆和DRAM构建异构整合平台。2025年，公司在55nm、6nm和3nm逻辑晶圆与单层存储晶圆堆叠方面取得进展，其中55nm已率先进入坐褥且良率巩固。改日，台积电将把WoW本事扩展到6nm、3nm等先进逻辑晶圆与多层存储晶圆的堆叠，以擢升研讨智力和存储带宽，骄气AI芯片、数据中心、手机芯片等应用需求。

人人半导体商场继续推广，

但结构分化加重

台积电揣度，2025年人人不含存储器的半导体商场营收达到6,110亿好意思元，较2024年增长19%。其中，晶圆代工边界的限度（指晶圆代工2.0）揣度已达到3,050亿好意思元，较2024年增长16%。永远来看，在AI、5G/6G、数字化转型以及大多数电子开导中半导体含量增多等大趋势的驱动下，台积电预测到2030年，人人不含存储器的半导体商场年复合增长率约为10%。

预计2026年，人人贸易冲突和保护主见依然存在，为电子开导的结尾需求带来风险和省略情味。尽管如斯，台积电预计AI的坚忍需求将执续，而其他非AI商场预计将较为疲软。公司还料念念先进节点和先进封装的需求将执续坚忍。在纯熟本事方面，跟着库存消化后的改善，全体需求预计将有所擢升，尽管产能的增多（极度是在中国大陆）将挑战包括台积电在内的非中国代工场。

台积电围绕高性能研讨、智高手机、物联网、汽车和数字消耗电子这五大主要商场，构建了五个相应的本事平台。这五大平台的商场情况及2026年的预期情况如下：

高性能研讨 (HPC)：2025年主要HPC单元出货量增长了9%，这受PC升级和坚忍的贸易需求、新游戏机机型的推出，以及最报复的少量——受AI应用（极度是生成式AI）扩散所刺激的AI劳动器和数据中心的执续坚忍势头所驱动。2026年，受强化的AI武备竞赛驱动，台积电预计PC出货将下跌，但劳动器出货将有10%露面（low teens）的增长。

智高手机：2025年智高手机商场裸清晰执续增长，单元出货量增长约3%。这一规则增长主要归因于人人执续的5G贸易化、新兴国度日益增长的需求，以及执续的周期性换机需求。中国的补贴接洽也提振了智高手机的销量。预计2026年，响应存储器枯竭和价钱高涨的负面影响，智高手机增长预计将出现下滑。尽管如斯，恒久长进依然积极，因为向5G的执续过渡，伴跟着对性能擢升、更长续航时期、先进生物传感器和扩展的角落AI功能的恒定需求，将共同推动智高手机的执续增长。

物联网 (IoT)：物联网商场从低迷的2024年反弹，在2025年完结了11%的单元出货量增长。这一健康的增长势头预计将执续到2026年，并保执高个位数的增长。恒久来看，跟着更多AI纠合和互操作功能被集成到物联网开导中，扫数物联网商场预计将继续阅历高单元数增长。

汽车：2025年汽车商场阅历了健康的复苏，人人单元产量上升了3%。这一增长主要受到政府补贴接洽以及因关税省略情味而激发的事先采购的支执。针对2026年，由于宏不雅经济省略情味以及补贴和拉动采购的影响松开，台积电预计汽车单元产量将执平或略有下跌，并料念念环境将具有挑战性。

数字消耗电子 (DCE)：2025年全体DCE商场略有收缩。执续的结构性顶风，包括不停演变的消耗者行为、屏幕时期分拨的转念，以及搬动产物功能集成度的不停提高，遏制了对几种主要DCE产物（如机顶盒 STB 和数字静止相机 DSC）的需求。动作另一个关节DCE产物的数字电视（DTV）出货量基本执平，部分原因是受2024年下半年启动的中国补贴接洽的拉动效应影响。

进入2026年，尽管宇宙杯和冬奥会等紧要体育赛事可能会在一定程度上刺激DTV和STB的需求，但由于执续的结构性顶风和不利的存储器价钱环境，预计全体DCE商场将执平或略有下跌。尽管商场疲软，台积电的先进工艺本事仍将至关报复，使其客户约略开发出独到且具革命性的产物。

预计

预计2026年，宏不雅经济省略情味仍然存在开云体育，人人贸易冲突、保护主见和结尾消耗疲软齐可能对部分电子开导需求变成压力。但台积电以为，AI关系需求将继续保执坚忍。在率先工艺、特殊本事和先进封装本事需求撑执下，公司有信心继续跑赢行业增长。